GB/T 7576-1998
中文名称：半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
| 中国标准分类(CCS)： | L42 |
| 国际标准分类(ICS)： | 31.080.30 |
| 发布日期： | 1998-11-17 |
| 实施日期： | 1999-06-01 |
| 页数： | 15 |
| 标准状态： | 即将作废 |
| 点击数： | 263 |
| 废止日期： | 2026-10-01 |
| 适用范围： | 本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》（IEC747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。 |
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